半導体プラズマ原子層エッチング

半導体の微細化や3D構造化が進む中、製造プロセスには、より高精度かつ低ダメージな加工技術が求められています。これまで、原子レベルで膜形成を制御するALD（Atomic Layer Deposition）は、High-k材料や3D NAND、GAAトランジスタなどの進展を支える重要技術として発展してきました。

近年では、その流れを受け、原子レベルで加工を制御するALE（Atomic Layer Etching：原子層エッチング）が、次世代半導体プロセスを支える新たなキーテクノロジーとして注目を集めています。特に、GAA/CFET構造、高アスペクト比加工、低ダメージプロセス、異種材料界面制御など、従来のエッチング技術では対応が難しい領域において、ALEへの期待が高まっています。

本セミナーでは、最新特許情報をもとに、ALE関連技術の研究開発動向を俯瞰的に整理します。

単なる装置技術としてではなく、

・次世代半導体プロセスが求める加工要件

・材料・表面処理技術への新たな要求

・ALDからALEへと広がる原子レベル制御技術の潮流

・ALD領域で先行する装置メーカー各社のALE関連動向

などを通じて、今後の技術進化や市場機会を読み解きます。

また、ASM International や 東京エレクトロン をはじめ、ALD分野で先行してきた装置メーカー各社の技術開発動向は、次世代半導体プロセスにおける加工課題や材料要求の変化を把握する上で重要な示唆を与えています。本セミナーでは、こうした主要プレイヤーの特許出願動向も踏まえながら、ALE技術の進化方向と関連市場への波及可能性について考察します。

装置メーカーのみならず、半導体市場への参入や用途展開を検討する材料メーカー、化学メーカー、部材メーカー、デバイスメーカーの研究企画・技術戦略部門に向けて、次世代半導体分野における研究テーマ探索や事業機会発見のヒントとなる内容を目指します。

■登壇者

黒田吉己（株式会社ネオテクロジー 技術アドバイザ）

精密、光学機器メーカーの研究開発部門で主にデバイス開発に従事。液晶ディスプレイ、強誘電体メモリ、MEMS、光学センサーなど多くのデバイス開発に取り組み、高精度超小型光学式エンコーダでは製品化まで経験。R&D経験を生かした目利き力で注目発明を抽出し、具体例でALEについて俯瞰します。

橋本小百合（株式会社ネオテクロジー 取締役、特許情報コーディネータ）

特許情報を活用した創造活動支援ACTAS推進室を主宰。特許情報を活用した発明アイディア創出ファシリテータ、研究開発技術者向けの“技術と特許をつなぐ”特許技術動向調査のコーディネータに長年従事。